兵團重大科技計劃項目結碩果
形成6至8英寸碳化硅晶片制備技術
在近日舉行的第三屆亞太碳化硅及相關材料國際會議上，北京天科合達半導體股份有限公司發布了由該公司研發、兵團重大科技計劃項目提供技術支撐的8英寸導電型碳化硅襯底晶片新產品，并宣布這一新產品將于2023年實現小批量量產。
中國科學院物理研究所研究員陳小龍表示，國際上已有關于8英寸導電型碳化硅襯底晶片研制成功相關報道，但迄今尚未有產品投放市場。該產品的成功研發，有助于增強我國碳化硅襯底晶片在國際市場的競爭力。
碳化硅等寬禁帶半導體晶片制備是近年來國際半導體及材料領域研究和發展的熱點，在國民經濟、國防安全、社會民生等領域具有重要的戰略作用。2018年，兵團科技局啟動由新疆天科合達藍光半導體有限公司主持，中國科學院物理研究所、北京天科合達半導體股份有限公司參與的“寬禁帶半導體6至8英寸晶片制備及產業化開發”重大科技計劃項目。該項目聚焦電力電子設備、電動汽車、智能電網、光伏并網發電、高端裝備等領域對碳化硅電力電子器件的需求，進行科研攻關。截至目前，項目已取得豐碩成果，形成具有自主知識產權的6至8英寸碳化硅晶片制備技術，生產的碳化硅晶片質量達到國際一流水平。
北京天科合達半導體股份有限公司是國際碳化硅襯底產品主要供應商之一，入選2021年全球獨角獸企業榜單。該公司副總經理、技術總監劉春俊介紹，在碳化硅器件生產各環節，襯底占成本近50%。襯底尺寸越大，單位襯底可制造芯片數量越多，單位芯片成本越低。8英寸襯底晶片產品比6英寸襯底晶片產品可多切近90%的芯片，邊緣浪費率降低7%。
兵團科技局相關負責人表示，“寬禁帶半導體6至8英寸晶片制備及產業化開發”重大科技計劃項目取得的成果，對夯實我國寬禁帶半導體產業發展基礎，推動下游器件、模塊及應用終端的發展和壯大，促進國內第三代半導體產業迅猛發展具有重大意義。
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